65 nanométer az Inteltől

A vállalat állítása szerint a változtatásoknak köszönhetően a
szivárgási áram akár ezredrészére is csökkenthető.

Iparágszerte egyetértés tapasztalható abban a tekintetben, hogy a
szivárgási áram a jelenlegi legnagyobb probléma a félvezetők tovább
miniatürizálásában. Az Intel szerint a most kifejlesztett, P1265
kódnevű eljárással akár ezredrészére is csökkenthető a szivárgási
áram. A vállalat egyelőre csak prototípusokat állított elő a
technológiával, a kereskedelmi forgalomban legkorábban 2007-ben
várható a bevezetés.

Az Intel kétféle 65 nanométeres gyártástechnológiával fog tehát
chipeket gyártani, a P1264 kódnevű eljárással készülnek majd a nagy
teljesítményű processzorok, a P1265-tel pedig az energiatakarékos
eszközök. Mindkét eljárás magában foglal második generációs "feszített
szilíciumot", nagy sebességű rézalapú átkötéseket és kis
k-együtthatójú dielektrikummal történő szigetelési technológiát. Az
Intel 65 nanométeres processzorai 35 nanométer kapuhosszúságú
tranzisztorokat tartalmaznak majd, szemben a jelenleg gyártott 90
naométeres chipekben található 50 nanométeres kapuhosszúságú
tranzisztorokkal.

Az Intel korábban ennél sokkal radikálisabb megoldást ígért a
szivárgási áram problémájára, a vállalat még 2003-ban bejelentette,
hogy az általánosan használt szilícium-dioxid helyett teljesen új,
eddig még nem részletezett fémanyagot alkalmaz majd kapuelektródaként.
A vállalat azonban az új anyagot a 65 nanométeres technológiája
esetében még nem vezeti be, megjelenése csak a 2007-ben vagy 2008-ban
esedékes, a 45 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológia
részeként.